В скором времени компания Qualcomm выпустит два новых процессора — топовый Snapdragon 835 и чипсет среднего уровня Snapdragon 660. Китайский сайт ANZHUO выяснил, какими параметрами они будут обладать.
Процессор Snapdragon 835 представляет наибольший интерес, поскольку именно им будут оснащаться флагманские смартфоны, которые будут выпускаться в 2017 году. Этот процессор был анонсирован на прошлой неделе, а Snapdragon 660 — абсолютная новинка, до сих пор мы о нём ничего не слышали.
Сборкой Snapdragon 835 будет заниматься компания Samsung, которая несколько месяцев назад освоила 10-нанометровый техпроцесс. Он потребляет на 40 процентов меньше энергии, чем существующие топовые процессоры для смартфонов, но производительнее их в среднем на 27 процентов и на 30 процентов эффективнее использует площадь микросхемы. Snapdragon 835 станет первым процессором Qualcomm с поддержкой технологии ускоренной зарядки Quick Charge 4.0. Во время тестов компании Qualcomm удалось добиться впечатляющего результата: пяти минут зарядки хватило на пять часов использования устройства, а за пятнадцать минут смартфон заряжается до пятидесяти процентов. В качестве тестового устройства использовался смартфон с аккумулятором ёмкостью 2750 миллиампер-часов. В сравнении с технологией Quick Charge 3.0 скорость зарядки выросла на 20 процентов, а с Quick Charge 1.0 образца 2013 года — в два с половиной раза. Новая технология также обещает контроль за температурой аккумулятора с уменьшением силы тока в случае излишне сильного нагрева, проверку качества кабеля зарядного устройства, а также автоматическое управление режимом сбережения энергии.
Snapdragon 835 будет оснащён восемью ядрами Kryo 200, видеочипом Adreno 540 и LTE-модемом Qualcomm X16. Кроме того, этот процессор будет поддерживать модули памяти LPDDR4X-1866 и флеш-память UFS2.1. Для сравнения: у Snapdragon 820 лишь четырьмя ядрами Kryo, видеочипом Adreno 530 и LTE-модемом Qualcomm X12.
Snapdragon 660 получит четыре ядра с тактовой частотой 2,2 ГГц, столько же ядер с частотой 1,9 ГГц, видеочип Adreno 512, LTE-модем Qualcomm X10, поддержку двухканальной оперативной памяти LPDDR4X-1866 и флеш-памяти UFS 2.1. Snapdragon 660 также будет производиться компанией Samsung, но не по 10-нанометровой технологии, а на основе 14-нанометрового техпроцесса FinFET LPP.
