Специалисты из новосибирского Института физики полупроводников им. Ржанова (ИФП) СО РАН изобрели флеш-память, способную работать в 2-3 раза быстрее современных аналогов и дольше сохранять информацию. Об этом сообщило издание «Наука в Сибири».
Новосибирский накопитель создан на основе нескольких слоёв графена. Это один из самых перспективных в современной науке материалов, который представляет собой плоскость графита толщиной всего в один атом углерода. Этот материал в будущем будет использоваться в электронике и других областях.
Учёные использовали мультиграфен в качестве запоминающей среды, на которой хранится электрический заряд. Помимо графена в накопителе используется два слоя — туннельный и блокирующий. Эффективность работы накопителя зависит от величины энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд. На данный момент мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно, опытные образцы существуют и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», — сказал старший научный сотрудник ИФП СО РАН, Юрий Новиков.
Именно мультиграфен, как полагают учёные, в будущем будет использоваться в качестве основы в энергонезависимых накопителях. Он способен хранить информацию десятилетиями без риска её потери. Величина потенциального барьера на границе мультиграфена и оксида кремния увеличена и составляет примерно 4 электронвольта. В сегодняшних флешках и картах памяти, основным компонентом которых является кремний, величина потенциального барьера на границе его с оксидом кремния составляет только 3,1 электронвольта. К сожалению, о массовом производстве накопителей на основе изобретения новосибирских учёных говорить ещё рано.
